欧司朗光电半导体的红外芯片原型成功创下达72％的能效新记录。工作电流为1A、功率为930mW时，在实验室条件下，这款芯片的光输出比市售芯片要高出25％，这就意味着未来的红外LED可以更为节能。这一能效值是在室温下直流电电流高达1A时测量的。其波长为850nm，专门为应用而设计。来自德国雷根斯堡研发实验室的实验结果证实，这款芯片的确创造了一项新的里程碑。在工作电流为100mA时，采用红外薄膜芯片技术、只有1mm2大小的芯片原型实现了72％的能效。这种能效被称为电光转换效率（WPE），指的是辐射功率和电力输入功率之间的比率。
这款芯片原型的外部量子效率（EQE），即平均每单位电荷经过器件作用后所能发出的光子数量比率，更是高达67％，即使是在1A工作电流下仍可保持在64％以上。
芯片原型850nm的波长是红外照明的理想之选，尤其是在执行监控任务以及与闭路电视摄像头搭配使用时更是如此。另外，它还有望用在中，例如，可以用作预碰撞传感器和的光源。
欧司朗光电半导体德国雷根斯堡总部的IRED芯片开发项目经理MarkusBroll表示：“如今，能效和亮度的提升方式可以从850nm转向其它波长。这意味着将来有望针对红外照明打造出能效极高的解决方案。”不仅如此，多芯片应用所需要的元件将会更少，即省钱又节能。
这项开发工作的成果目前正在分阶段实施。新型芯片预计将于明年年初和年中之间进入系列化生产。
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